一、二极管烧了有什么现象?
若灯泡暗红,开启电磁炉电源,灯泡一亮一暗地闪烁,但把锅具抬起灯泡很亮;属于抬锅炸IGBT,应检查CPU 驱动 线盘 大多数是线圈损坏。以 美的 机为例:稳压二极管ZD1(18V)开路损坏,会造成出现整机低压供电电路对地电压升高;稳压二极管ZD1(18V)失效损坏时(待机检测C92对地+18V电压是正常,但开机后检测C92对地+10V电压偏低。),会造成出现屡爆IGBT管故障发生。LC振荡电路元器件受损时,均会造成电磁炉上电即烧IGBT管、或上电开机检锅即烧IGBT管、及振荡频率偏高迫使IGBT管导通时间过长,而引发IGBT管击穿损坏。测LC振荡电路滤波电容器C4对地+305V电压,为正常。如果C4对地电压偏低、会造成电磁炉振荡频率变高导致IGBT管导通时间过长而烧毁IGBT管。如共振电容器C5失效。一上电或一检锅会造成IGBT管而烧毁IGBT管。LC振荡电路C5失效受损时,有时会造成电磁炉上电开机数秒钟内检锅时出现“烧毁IGBT管”故障。加热线盘绕组存在匝间短路、底部磁片出现碳化或短路损坏时,会造成电磁炉上电开机后出现爆管IGBT。IGBT管控制极G极,限幅稳压二极管Z1反向漏电时,有时会造成电磁炉出现“屡爆IGBT管。 电磁炉加热线圈与高频谐振电容器通过IGBT高频开关快速导通、截止,形成LC振荡电路。LC自由振荡的半周期时间出现峰值电压,亦是IGBT截止时间,这时开关脉冲没有到达。这个时间关系不能错位,如峰值脉冲还没有消失,而开关脉冲已提前到来,就会出现很大的导通电流,导致IGBT烧坏。因此,必须保证开关脉冲前沿与峰值脉冲后沿相同步。 三极管Q3、Q4参数失常、击穿及电阻R37变质损坏,有时会导致IGBT管击穿。二极管D20击穿、比较器(U2A)失常,上电后会导致IGBT击穿。侯森原创经验希望对大家有一点点的帮助,少走弯路,多入银两。 美的电磁炉爆损IGBT管与相关电路故障及维修-------李少怡 目前,在小家电维修界无论是专业厂家售后维修、或家电维修爱好者,凡从事电磁炉维修行业大家知道;电磁炉维修是最怕爆损IGBT 管故障。时下,每当客户送修电磁炉被确诊为爆损、屡损IGBT 管故障时,人们时常总感到惊讶!有时甚至还感到束手无策的“棘手\""活,所以很**修部就以换板,或其他理由就婉言谢绝拒修了!其实这样处置是另有原因:由于部分维修工,对电磁炉各电路缺乏基础知识的了解及研究,按步就搬进行维修,结果在维修过程中若出现屡损高额昂贵的IGBT 管。那么,不但挣不到报酬,反而还要赔老本,所以对维修屡损、爆损IGBT 管的故障就望而却步。 其实,笔者认为,维修该类故障并不难!维修前,首先应分清:是人为因素造成,还是元器件受损,或元器件存在质量问题。检修时,可借助万用表的检测宿小故障潜在范围,“对症下药”,维修电磁炉才能真正做到得心应手。 一、人为因素造成。 1. 锅具的选用。 电磁炉的锅具选用,应该严格按照厂家随机原配的锅具进行使用。厂家在设计电磁炉加热功率电路时,首先根据锅质的“磁阻”大小而定的,不同的锅具“磁阻”会决定电磁炉检锅脉冲个数也不同。如美的电磁炉锅具不锈钢(304)“磁阻”,比不锈铁(430)“磁阻”要大,在同等2000 W 电磁炉上,若将不锈铁(430)锅具放上进行加热是无法达到额定2000 W 功率;反之,将不锈钢(304)锅具放上进行加热,就轻而易举达到2500 W 甚至更高。所以说锅具选用不当,会导致电磁炉出现爆损IGBT 管原因之一。 2:LC振荡电路。 LC 振荡电路实际上是把电能转换成磁能,由IGBT管、加热线圈盘L 及谐振电容C5 组成高频LC 振荡回路,并通过IGBT 管高频开关导通、截止的作用,来实现控制电磁炉的加热功率。 当LC 振荡电路受损时,会致使电磁炉出现爆损IGBT 管、报警不加热及不报警不加热等故障。其维修步骤如下: 一台美的2005 年标准通板MC-SH2111 型电磁炉,取下加热线圈盘,将该电磁炉上电待机,用万用表直流电压(50 V)档红表笔(+)接在IGBT 管集电极c 上,黑表笔(-)接在整流桥负极上,将电磁炉上电,此时万用表指针快速从0 V 开始上升至+45 V 后,又回降至+0.6 V 电压,为正常。 ( 1)谐振电容容量与电压峰值①当谐振电容C5 为(0.3 μF/1200 V)时,测IGBT管集电极c 峰值对地为+45 V 至+0.6 V 电压,正常。 ② 当谐振电容C5 为0.27 μF/1200 V 时,测IGBT 管集电极c 峰值对地为+42 V 至+0.6 V 电压,正常。 若测IGBT 管集电极c 峰值对地0 V 电压时,为谐振电容C5 失效或开路损坏及同步电压比较电路中比较器U2D(LM339)损坏,使13脚输出高电平(正常为+0.1 V)。这时,若接上加热线圈盘上电,会致使电磁炉上电时出现爆损IGBT 管故障。 (2)当测IGBT 管集电极c 峰值对地电压始终持续在+225 V 或+45 V 时,为高压供电电路中滤波电容C4(5 μF/275 V)失效或开路。这时,若接上加热线圈盘上电,会致使电磁炉上电加热时出现爆损IGBT 管、报警不加热、不报警不加热、不停地检锅及断续加热等故障。 (3)当测IGBT 管集电极c 峰值对地为+25 V 至+0.2 V 电压时(正常为+45 V 至+0.6 V),为谐振电容C5 失效或开路。这时,若接上加热线圈盘上电,会致使电磁炉上电加热时出现爆损IGBT 管、报警不加热及不报警不加热等故障。 (4)将电磁炉上电,当测IGBT 管集电极c 对地为+0.6 V 电压,正常,装上加热线圈盘测IGBT 管集电极c 对地为+305 V 电压,正常。这时,若上电开机,放锅加热,会致使电磁炉出现爆损IGBT 管故障,为加热线圈盘损坏所致。 (5)将电磁炉上电,当测IGBT 管集电极c 对地为+0.6 V 电压,正常,装上加热线圈盘测IGBT 管集电极c 对地为+305 V 电压,正常。这时,若上电开机,放锅加热,会致使电磁炉出现爆损IGBT 管故障,为IGBT 管控制极c 对地分压贴片电阻R38 开路损坏所致。 (6)将电磁炉上电,当测IGBT 管集电极c 对地为+0.6 V 电压,正常,装上加热线圈盘测IGBT 管集电极c 对地为+305 V 电压,正常。这时,若上电开机,放锅加热,会致使电磁炉出现爆损IGBT 管故障,为IGBT管控制极G 限幅稳压二极管Z1 漏电所致。 同步电压比较电路。 电磁炉加热线圈L 与高频谐振电容C3 是通过IGBT 管高频开关快速导通、截止,形成LC 振荡电路。 LC **振荡的半周期时间出现峰值电压,亦是IGBT管截止时间,这时开关脉冲没有到达。这个时间关系不能错位,如峰值脉冲还没有消失,而开关脉冲已提前到来,就会出现很大的导通电流,导致IGBT 管烧坏。因此,必须保证开关脉冲前沿与峰值脉冲后沿相同步。 当同步电压比较电路受损时,会致使电磁炉在上电加热时出现爆损IGBT 管、报警不加热、不报警不加热、不停地检锅及断续加热等故障。其维修步骤如下: 一台美的MC-SF2012 型电磁炉,通常,笔者在维修电磁炉同步电压比较电路时,为了避免IGBT 管爆管,先取下加热线圈盘,因此,就造成比较电路IC2C(LM339)⑨脚(V+ 同相输入端)对地为0 V 电压(正常为+3.6 V),使比较电路IC2C辊輲讹脚(输出端)为低电平(正常为+18 V)。针对该故障,在IC2C(LM339)⑨脚(V+ 端),用普通电阻1.5 kΩ 与整机+5 V 电压端相联构成同步电压比较电路(V+ 取样电压),提供维修检测同步电压比较电路时使用,并将电磁炉上电待测。 用万用表直流电压(10 V)档测同步电压比较电路中IC2C(LM339)⑧脚(V- 反相输入端)对地为+3.4 V电压,正常,若该工作点电压异常,多为取样电阻R18(330 kΩ/2 W)变值或开路损坏,电容C13(2000 pF)漏电或击穿及IC2C(LM339)损坏,会致使电磁炉上电加热时出现报警不加热、不报警不加热等故障。 测IC2C(LM339)⑨ 脚(V+ 同相输入端)对地为+3.6 V 电压,正常。若该工作点电压异常,多为取样电阻R19(240 kΩ/2 W)、R20(240 kΩ/2 W)变值或开路,电容C10(470 pF)漏电或击穿及IC2C(LM339)损坏,会致使电磁炉上电加热时出现爆损IGBT 管、报警不加热、不报警不加热、不停地检锅及断续加热等故障。 测IC2C(LM339)辊輲讹脚(输出端/OUT)对地为+18 V电压,正常。若该工作点电压异常,多为贴片电阻R39(2 kΩ)变值或开路,贴片二极管D20(1N4148)漏电或击穿,会使电磁炉上电加热时,出现报警不加热的故障。 另外,当同步电压比较电路中IC2C(LM339)V- 取样电压与V+ 取样电压相近时(正常为V-、V+ 取样电压应相差+0.2~+0.35 V),否则,会使电磁炉在上电加热时出现不定期爆损IGBT 管及断续加热等故障。 当电磁炉出现“屡损IGBT管”故障,维修时:建议将电磁炉主电路板、及控制显示灯板,用“天那水”进行去油污清洗、吹干后再修。 1、先将受损元器件更新如:保险管(12A)、整流桥(RS2006)、IGBT管(IH20T120)。 2、在电磁炉主电路板电源线L端串联接入220V/40W灯泡后,上电待机,用500型万能表相应直流电压档测高压供电电源对地为+305V电压,正常,测低压供电电源对地为+18V电压、及AN7805输出端对地为+5V电压,正常(在确保整机“三” 电压正常后再修)。 3、取下加热线圈盘,用500型万能表直流电压50V档,红表笔接在IGBT管集电极C上、黑表笔接在整流扁桥的负极上,测电磁炉上电时浪涌峰压值以鉴定电磁炉是否为正常。如以下例举: 1)美的MC-SH208型上电时,浪涌峰压值为先上升至+45V后降至+0.7V电压,为正常。 2)美的MC-SF2012型上电时,浪涌峰压值为先上升至+32V后降至+0.5V电压,为正常。 3)美的MC-SY191C型上电时,浪涌峰压值为先上升至+32V后降至+1.2V电压,为正常。 4)美的MC-CF202型上电时,浪涌峰压值为先上升至+75V后降至+1.4V电压,为正常。 5)美的MC-SY183B型上电时,浪涌峰压值为先上升至+33V后降至+0.6V电压,为正常。 6)美的MC-PSY18A型上电时,浪涌峰压值为先上升至+20V后降至+1.4V电压,为正常。若以上工作点异常,多为滤波电容器(5µF/275V)、及谐振电容器(0.27µF/1200V至0.3µF/1200V)、漏电或失效。 4、装上加热线圈盘,用500型万能表直流电压10V档,测同步比较电路取样电压V-,应小等于取样电压V+的+0.2V至+0.35V电压,为正常。 5、焊下IGBT管控制极G上的限幅稳压二极管(18V),用500型万能表10KΩ档测试是否漏电,建议更新它,否则将造成屡损、爆损IGBT管! 6、当电磁炉的+18V低压供电电源与排风电扇电源共用一起时,必须确保排风电扇正常,否则将造成屡损、爆损IGBT管! 7、将待修电磁炉装好,准备上电试机; 1)当上电开机放锅加热时,若灯泡一闪亮后即灭为整机已修复,方可取下灯泡直接试机! 2)当上电开机放锅加热时,若灯泡“全亮”为“故障存在”为此,切不可取下灯泡直接试机!否则将再次出现“爆损IGBT管”故障发生,应继续查找潜在故障,可按以上维修方法继续进行。"
二、二极管击穿现象
二极管击穿现象
二极管击穿现象是指在二极管的工作过程中,由于受到过度的电场或热量等外界因素的影响,导致二极管的PN结发生电位漂移,从而失去了正常的导电性能。这种现象是二极管损坏的主要原因之一,对于二极管的性能和稳定性有着重要的影响。
根据击穿原因的不同,二极管的击穿现象可以分为过压击穿、过热击穿和电场击穿等多种类型。其中,过压击穿是指二极管两端承受过高的电压,超过了二极管的额定电压,导致PN结发生电位漂移;过热击穿是指二极管在工作过程中出现过高的温度,超过了二极管的正常工作温度,导致PN结发生不可逆的损伤;电场击穿是指二极管在受到强电场的作用下,PN结的绝缘性能下降,导致PN结导通。
对于二极管击穿现象的预防和处理,我们需要从多个方面入手。首先,在选择二极管时,要选择质量可靠、性能稳定的品牌产品,避免使用低质量的假冒伪劣产品。其次,在电路设计和元器件布局中,要合理地设计电路的电气参数和散热条件,避免过压、过热等异常情况的发生。此外,在维修过程中,要认真分析故障原因,针对不同类型的击穿现象采取相应的维修措施,确保维修的准确性和有效性。
总之,二极管击穿现象是二极管损坏的主要原因之一,对于电路的正常运行和稳定性有着重要的影响。因此,在实际应用中,我们需要对二极管的工作环境进行合理的控制和管理,确保二极管能够正常、稳定地工作。
三、二极管半波整流现象说明了二极管什么特性?
单向导电性!二极管内部是一个PN结,只有在pN结正负两端超过0.7v(硅材料,如是锗材料为0.3v),pN结导通,电流通过。
正因为二极管有单向导电性,所以用来整流,将交流电变成直流电。在低频交流电整流时,一个二极管只有在交流电的大部分正半弦波导通,效率为45%,为了获得较高的效率,通常用4只二极管组桥式整流。在高频交流电中,扣开关电源次级,一只二极管足以胜任!
四、二极管整流桥实验现象描述?
(1)桥式整流输出的是一个直流脉动电压。
(2)桥式整流电路的交流利用率为100%。
(3)电容输出桥式整流电路,二极管承担的最大反向电压为2倍的交流峰值电压(电容输出时电压叠加)。
(4)桥式整流电路二极管的负载电流仅为半波整流的一半。
(5)实际电路中,桥式整流电路中二极管和电容的选择必须满足负载对电流的要求。
五、主板贴片二极管掉件什么故障现象?
不用这个配件,电脑肯定不能良好地工作,主板是上量产品,产品开发时,不会轻易增添任一个元件,每个元件都有它的用途。 还是返厂维修吧。 首先看这2个元件怎么掉的,若不是烧坏掉落的,可以按型号到电子市场买到焊上,死马当活马医。 若是烧坏掉落了,估计要换主板了。
六、充电器二极管坏了会有什么现象?
在充电器中的二极管,应该是整流二极管,它的损坏就会破坏整流电路,充电电路一般会断路,电路不能形成回路,也就不能充电了。
不及时维修会损坏整个充电器,甚至电池,有起火爆炸的危险。不能继续使用。
如果单纯是发光二极管损坏,更换发光二极管后充电器应该可以继续使用。
七、二极管整流桥中有一二极管断路,短路,反接会产生什么现象?
1.整流桥。现在整流桥虽然只是一个元件,但是不过是封装在一起的4个二极管。
2.现在DC-DC芯片还有很多型号需要搭配肖特基二极管,驱动感性元件时需要并联反接的二极管。
3.TVS二极管依然被用于静电防护。
4.现在已经普及的LED灯具使用的灯珠也是二极管的一种,即发光二极管。
八、高温二极管漏电流变大,导致什么现象?
温度越高,漏电流越大。大的漏电流会带来较大的损耗,特别在高压应用场合,会导致二极管损坏。
产生的原因:从半导体材料内部结构看,是外加反向电压在PN结势垒区所产生的反向电场E大于势垒区扩散电荷形成的电场E。,导致了通过PN结的反向漏电电流。势垒区的薄厚,以及所加反向电压的大小共同决定了漏电电流的大小。
九、二极管电阻为零处于什么现象?
二极管具有单向导通的特性,当二极管正向导通时会有一定的压降压,硅二极管的正向导通压降压大约为0.6V~0.8V,锗二极管的正向导通压降大约为0.2V~0.3V。有些功率较大的硅二极管正向导通压降达1V左右。如果正向导通压降为0V,应该是内部击穿短路了。
十、multisim做仿真实验会出现什么现象,比如发光二极管会有什么现象?
用5V做电源,加一个开关串一个1k的电阻在接地,按开关就可以亮了啊!不过仿真时需要按F5开始仿真按键才有效。
发光二极管简称为LED。由含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。当电子与空穴复合时能辐射出可见光,因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯,或者组成文字或数字显示。砷化镓二极管发红光,磷化镓二极管发绿光,碳化硅二极管发黄光,氮化镓二极管发蓝光。因化学性质又分有机发光二极管OLED和无机发光二极管LED。